稳压二极管可在规定反向区间提供参考电压，本征半导体未经过有意引入杂质的掺杂

芯片制造需要精确控制杂质和微细结构。晶圆是集成电路制造使用的基础材料片。单个晶粒通常在切割后进行封装和测试。良率表示符合要求产品在生产中的比例。器件失效可能来自电应力或热应力损伤。数据手册参数需要对应规定的测试条件。典型参数不能替代最坏情况设计边界。半导体工程结合材料物理和微细制造技术。

白光发光二极管常结合蓝光芯片与荧光材料。光电二极管把入射光变化转换为电信号。双极型晶体管通过内部载流子输运实现放大。晶体管电流增益会随工作点和温度改变。晶体管饱和区常用于实现开关导通状态。场效应晶体管利用电场调节导电沟道。绝缘栅结构能够降低静态栅极驱动电流。栅极电压必须相对源极等参考端理解。

阈值电压不能直接当作完全导通的驱动电压。导通电阻会影响功率开关的传导损耗。栅极电荷影响驱动需求和开关速度。体二极管是部分功率场效应器件的固有结构。绝缘栅双极晶体管适用于多种功率变换场合。晶闸管触发导通后通常不能仅靠撤去信号关断。双向晶闸管能够控制交流负载的导通区间。结温是评价半导体热状态的重要参数。

半导体的导电能力可以通过掺杂等方式调节。本征半导体未经过有意引入杂质的掺杂。施主杂质能够增加部分半导体的自由电子。受主杂质有助于形成以空穴为主的导电。电子与空穴共同参与半导体中的电荷输运。结区电场会影响载流子穿越结面的行为。二极管通常表现出方向相关的导电特性。